SIC

SIC 高電圧試験装置

パワーデバイスSIC/高電圧FET/IGBT等に高電圧印加を行い、BT(バイアス熱ストレス試験)試験が可能です。
自動車、鉄道などで使用する高電圧デバイスの評価に使用します。 最大2000Vまでの電圧印加を行う事ができ、同時に16CH/ユニットの同時印加を行うことが出来ます。


★試験、測定動作
試験にはゲートBT試験とドレインBT試験が選択できます。
試験は下記の流れに基づき、動作をパラメータ設定した条件に従って進行します。
これからの次世代パワーデバイスの信頼性試験に最適です。

初期測定Vgスイープ試験
②ゲートBT試験 or ドレインBT試験
③Vg1点試験
④Vgスイープ試験

   試験進行状態

仕様

ワークへの電圧印加用に下記電源を使用します。1ユニットあたり各1式となります。
・ゲート印加用±30V 30mA(ユニット内電源)
・ドレイン印加用高電圧2kV30mA(外部電源)
・ドレイン印加用低電圧+30V 30mA(ユニット内電源)

測定方法
各ワーク経路のGND側へマルチメーターを接続し、電流計で測定する形式とします。
デジタルマルチメーター +マルチプレクサカード

・ゲートBT 1nA~10μA
・ドレインBT試験 1μA~30mA
・Id測定 1μA~30mA
・Vgモニター -30V~+30V